Bubar, akeh kanca takon babagan karakteristik target sputtering molybdenum.Ing industri elektronik, kanggo nambah efisiensi sputtering lan njamin kualitas film sing disimpen, apa syarat kanggo karakteristik target sputtering molibdenum?Saiki ahli teknis saka RSM bakal nerangake marang kita.
1. Kemurnian
Kemurnian dhuwur minangka syarat karakteristik dhasar target sputtering molybdenum.Sing luwih dhuwur kemurnian target molybdenum, sing luwih apik kinerja film sputtered.Umumé, kemurnian target sputtering molybdenum kudu paling sethithik 99,95% (fraksi massa, padha ing ngisor iki).Nanging, kanthi nambah ukuran substrat kaca ing industri LCD, dawa kabel kudu ditambah lan lebar garis kudu luwih tipis.Kanggo njamin keseragaman film lan kualitas kabel, kemurnian target sputtering molybdenum uga kudu ditambah.Mulane, miturut ukuran substrat kaca sputtered lan lingkungan panggunaan, kemurnian target sputtering molibdenum dibutuhake kanggo 99,99% - 99,999% utawa malah luwih.
Molybdenum sputtering target digunakake minangka sumber cathode ing sputtering.Kotoran ing padhet lan oksigen lan uap banyu ing pori-pori minangka sumber polusi utama film sing disimpen.Kajaba iku, ing industri elektronik, amarga ion logam alkali (Na, K) gampang dadi ion seluler ing lapisan insulasi, kinerja piranti asli wis suda;Unsur kayata uranium (U) lan titanium (TI) bakal dibebasake sinar-X α, sing nyebabake piranti rusak;Ion wesi lan nikel bakal nyebabake bocor antarmuka lan nambah unsur oksigen.Mulane, ing proses nyiapake target sputtering molybdenum, unsur impurity kasebut kudu dikontrol kanthi ketat kanggo nyuda isi ing target.
2. Ukuran gandum lan distribusi ukuran
Umumé, target sputtering molybdenum iku struktur polycrystalline, lan ukuran gandum bisa sawetara saka micron kanggo millimeter.Asil eksperimen nuduhake yen tingkat sputtering target butir halus luwih cepet tinimbang target butir kasar;Kanggo target karo prabédan ukuran gandum cilik, distribusi kekandelan saka film setor uga luwih seragam.
3. Orientasi kristal
Amarga atom target gampang diselehake ing arah susunan atom sing paling cedhak ing arah heksagonal sajrone sputtering, kanggo entuk tingkat sputtering paling dhuwur, tingkat sputtering asring tambah kanthi ngganti struktur kristal target.Arah kristal saka target uga duwe pengaruh gedhe ing keseragaman ketebalan film sputtered.Mulane, penting banget kanggo njupuk struktur target kristal tartamtu kanggo proses sputtering film.
4. Densifikasi
Ing proses sputtering lapisan, nalika target sputtering karo Kapadhetan kurang dibombardir, gas sing ana ing pori internal target dumadakan dirilis, asil ing splashing partikel target ukuran gedhe utawa partikel, utawa materi film bombarded. dening elektron sekunder sawise pembentukan film, nyebabake cipratan partikel.Munculé partikel kasebut bakal nyuda kualitas film.Kanggo nyuda pori-pori ing padhet target lan ningkatake kinerja film, target sputtering umume kudu duwe kapadhetan dhuwur.Kanggo target sputtering molybdenum, Kapadhetan relatif kudu luwih saka 98%.
5. Naleni target lan sasis
Umumé, target sputtering molybdenum kudu disambungake karo tembaga free oksigen (utawa aluminium lan bahan liyane) sasis sadurunge sputtering, supaya konduktivitas termal saka target lan sasis apik sak proses sputtering.Sawise naleni, pengawasan ultrasonik kudu digawa metu kanggo mesthekake yen wilayah non iketan saka loro kurang saka 2%, supaya minangka kanggo nyukupi syarat daya dhuwur sputtering tanpa Mudhun.
Wektu kirim: Jul-19-2022