Akeh pangguna mesthi wis krungu babagan produk target sputtering, nanging prinsip target sputtering kudu ora pati ngerti.Saiki, editor sakaBahan Khusus Kaya (RSM) nuduhake prinsip sputtering magnetron saka target sputtering.
Medan magnet ortogonal lan medan listrik ditambahake ing antarane elektroda target sputtered (katoda) lan anoda, gas inert sing dibutuhake (umume Ar gas) diisi menyang ruang vakum sing dhuwur, magnet permanen mbentuk medan magnet 250 ~ 350 Gauss ing lumahing data target, lan kolom elektromagnetik ortogonal dibentuk karo medan listrik voltase dhuwur.
Ing pengaruh medan listrik, gas Ar diionisasi dadi ion positif lan elektron.A voltase dhuwur negatif tartamtu ditambahake menyang target.Pengaruh medan magnet ing elektron sing dipancarake saka kutub target lan kemungkinan ionisasi nambah gas, mbentuk plasma kepadatan dhuwur ing cedhak katoda.Ing efek saka pasukan Lorentz, ion Ar nyepetake menyang lumahing target lan bombard lumahing target ing kacepetan dhuwur banget, Atom sputtered ing target tindakake prinsip konversi momentum lan fly adoh saka lumahing target kanggo landasan karo energi kinetik dhuwur. kanggo simpenan film.
Magnetron sputtering umume dipérang dadi rong jinis: sputtering Tributary lan sputtering RF.Prinsip peralatan sputtering tributary prasaja, lan tingkat uga cepet nalika sputtering logam.RF sputtering digunakake akeh.Saliyane sputtering bahan konduktif, uga bisa sputter bahan non-konduktif.Ing wektu sing padha, uga nindakake sputtering reaktif kanggo nyiapake bahan oksida, nitrida, karbida lan senyawa liyane.Yen frekuensi RF tambah, bakal dadi sputtering plasma gelombang mikro.Saiki, sputtering plasma gelombang mikro elektron cyclotron resonance (ECR) umume digunakake.
Wektu kirim: Mei-31-2022